GaN Çip Teknolojileri Dosyası
3 haber · 3 kaynak · 6 Temmuz 2026 tarihinden beri · son gelişme 30 Ağustos 2026
Researchers developed reconfigurable mmWave microchips by co-integrating hBN switches on GaN, demonstrating stability up to 50 GHz and 175 °C.
Gelişmeler
- Keysight ve WIN Semiconductors'tan Galyum Nitrür Çip Tasarımında Devrimsel Platform
Keysight ve WIN Semiconductors, GaN çip üretimindeki hataları sıfırlayan ve 5G ile uydu sistemlerinin geliştirme süreçlerini hızlandıran yeni bir tasarım platformu geliştirdi.
- GaN Tabanlı Yeni Nesil Yeniden Yapılandırılabilir mmWave Mikroçipler
Nature'da yayımlanan araştırma, hBN anahtarların GaN üzerine entegre edildiği yüksek performanslı milimetre dalga (mmWave) mikroçiplerini tanıtır. Bu teknoloji, RF devrelerinde yüksek güç kapasitesi v
- GaN Teknolojisinde Devrim: 4.000 Volt Dayanımlı Yeni Transistör
EPFL araştırmacıları, GaN tabanlı transistörlerin yüksek gerilim limitini 650V'tan 4.000V'a çıkaran iPSJ mimarisini geliştirdi. Bu atılım, güç elektroniğinde silikon hakimiyetini kırabilir.
Kaynaklar
- GaN teknolojisinde büyük atılım: 4.000 Volt'a dayanan transistör geliştirildi— DonanımHaber
- Galyum Nitrür Çip Tasarımı İçin Yeni Platform Geliştirildi— ShiftDelete
- Reconfigurable mmWave microchips co-integrating hBN switches on GaN— Nature
Bu dosya 3 kaynaktan derlendi. Gelişmeleri takip etmek, bildirim almak ve sesli bülteni dinlemek için Recap'e giriş yap.