Samsung High-NA EUV Dosyası

2 haber · 2 kaynak · 13 Ağustos 2026 tarihinden beri · son gelişme 8 Eylül 2026

Samsung Electronics plans to integrate High NA EUV lithography technology into advanced DRAM mass production by 2028 in collaboration with ASML.

Gelişmeler

1. 13 Ağustos 2026Samsung Yarı İletken Yol Haritasını Güncelledi: 1,4 nm Süreci 2029'a Ertelendi

   Samsung Foundry, SF1.4 üretim sürecini 2027'den 2029'a erteleyerek önceliğini 2 nm ailesinin verimliliğine ve 1 nm sınıfı için High-NA EUV teknolojisine verdi.

2. 8 Eylül 2026Samsung, Bellek Teknolojisinde Devrim: High NA EUV Dönemi Başlıyor

   Samsung, çiplerin daha fazla küçülmesini ve üretim süreçlerinin sadeleşmesini sağlayacak olan High NA EUV litografi teknolojisini 2028 yılına kadar DRAM seri üretimine entegre etmeyi planlıyor.

Kaynaklar

• Samsung, High NA EUV litografisini DRAM üretimine taşıyor— DonanımHaber
• Samsung, 1,4 nm sürecini erteledi: 1 nm için High-NA EUV gündemde— DonanımHaber

Bu dosya 2 kaynaktan derlendi. Gelişmeleri takip etmek, bildirim almak ve sesli bülteni dinlemek için Recap'e giriş yap.