2D Malzeme Transistörlerde Taşıyıcı Transfer Uzunluğu İlk Kez Doğrudan Ölçüldü

1 Temmuz 2026 · 1 kaynaktan derlendi

Araştırmacılar, Bi-MoS2 kontaklı transistörlerde taşıyıcı transfer uzunluğunu 2-3 nm olarak ölçerek, 1 nm teknoloji düğümü için kritik olan kontak küçültme sınırlarını deneysel olarak kanıtladı.

Kaynaklar

• Directly probing the carrier transfer length in 2D-material transistors— Nature

Haberin tamamını, arka planını ve ilgili dosyayı görmek için Recap'e giriş yap. Haber #101023