Yarı İletken Teknolojisinde Yeni Dönem: Yüksek Mobiliteye Sahip Bor Karbon Nitrür

30 Eylül 2026 · 1 kaynaktan derlendi

Japonya ve Tayvan merkezli araştırmacılar, wafer ölçeğinde epitaksiyel büyütme yöntemiyle yüksek mobiliteye sahip p-tipi bor karbon nitrür geliştirdi. Bu gelişme, silikon sonrası yeni nesil elektronik

Kaynaklar

• Wafer-scale epitaxy growth of high-mobility p-type boron carbon nitride— Nature

Haberin tamamını, arka planını ve ilgili dosyayı görmek için Recap'e giriş yap. Haber #238646